性能稳定CR6311

ZH6311	<0.3W	36W	N	自动调整	SOT-23	CR6311	OB2361	准谐振(QR)模式芯片,可减小开关损耗
ZH6562	-	150W	N	自动调整	SOP-8	CR6562	L6562A/D	PFC控制器，临界导通模式，Boost工作原理，动态过压和静态过压保护(OVP),使能控制(DISABLE)
ZH6848	<300mW	75W	N	Adj	"DIP-8/
SOT23-6"	CR6848	SG6848	低功耗,优化的EMI特性,带降频
ZH6850D	<300mW	48W	N	Adj	"DIP-8/
SOT23-6"	CR6850D	OB2262	低功耗,优化的EMI特性,带降频
ZH6853	<250mW	60W	N	Adj	"DIP-8/
SOT23-6"	CR6853	"OB2263
LD7535
RT7731"	外置MOS，低功耗,优化的EMI特性,带降频
ZH6842/5	<300mW	<120W	N	"Adj
(PWM+PFM)"	SOP-8	CR6842/5	SG5842	"外置MOS，低启动电源，工作电流
频率抖动技术改善了EMI特性"
ZH6841	<300mW	<75W	N	"Adj
(PWM+PFM)"	SOP-8	CR6841	OB2269	"外置MOS，待机功耗<0.3W
频率抖动技术改善了EMI特性"
能效6等级次级边控制IC								
型号	"待机
功耗"	较大输出功率(全电压)	功率管	频率(KHz)	封装	对应厂家型号	*兼容(PIN对PIN或改动很小)	特点
ZH8224	<30mW	15W	Y	65/130	DIP8	PR8224	OB5222	提供多种保护，包括可自恢复VDD欠压保护(UVLO)、逐周期电流限制（OCP）、过载保护（OLP）；以及过压保护(OVP) 、过温保护（OTP）。为了防止音频噪声问题，ZH8224将低于22KHz的音频能量降低至较小。
ZH6855	<100mW	60W	N	65	"DIP-8/
SOT23-6"	CR6855	"OB2273A
NE1102
LD7536"	"外置MOS，低功耗,能效六级
带抖频，EMI效果好； "
ZH5842	<100mW	<90W	N	65	SOP-8	CR5842	"OB5269
LD7575"	"外置MOS，低功耗,能效六级
带抖频，EMI效果好； "
ZH5842B	<50mW	<65W	N	65	SOP-8	CR5842B	OB5269B	"外置MOS，低功耗,能效六级
带抖频，EMI效果好； "
ZH5521	<30mW	6W	Y	65	SOP-8	SP5521	OB2221	内置MOS管， 能效六级；                                                                                                                                                                                 带抖频，EMI效果好； 
ZH5528	<30mW	15W	Y	65	DIP-8	SP5528	OB235X	
ZH5534	<30mW	15W	Y	65	DIP-8	SP5534	OB5224	
ZH5535	<30mW	20W	Y	65	DIP-8	SP5535	OB5225	
ZH5541	<30mW	15W	Y	65	DIP-8	SP5541	OB5222	
ZH5543	<30mW	20W	Y	65	DIP-8	SP5543	OB5226	
ZH5823	80mW	5W	Y	65/100	SOP8/DIP8	SP5823		内置MOS管，能效六级；                                                                                                                                                                                 带抖频，EMI效果好； 
ZH5824	80mW	8W	Y	65/100	DIP8	SP5824		
ZH5828	80mW	12W	Y	65/100	DIP8	SP5828		
ZH5829	80mW	16W	Y	65/100	DIP8	SP5829		
								
AC-DC/原边控制系列产品								
型号	"待机
功耗"	较大输出功率(全电压)	功率管	频率(KHz)	封装	对应厂家型号	*兼容(PIN对PIN或改动很小)	特点
ZH5610	<200mW	24W	N	60/75	SOT23-6	SP5610	OB2532	内置MOS管(ZH5610为外置MOS管)，**；                                                                                                                                                    原边反馈，省431和光耦，节省成本； 
ZH5615	<200mW	5W	Y	60/75	SOP8	SP5615	OB2535	
ZH5616	<200mW	8W	Y	60/75	DIP8	SP5616	OB2536	
ZH5618	<200mW	10W	Y	60/75	DIP8	SP5618	OB2538	
ZH5613	<200mW	4W	Y	60/75	SOP8	SP5613	OB2535	原边反馈，省431和光耦，节省成本；
ZH5618H	<200mW	12W	Y	75	DIP-8	SP5618H	OB2538	频率高，可以应用更小的变压器，降低成本和节约PCB空间。
ZH5619	<200mW	14W	Y	60/75	DIP8	SP5619	OB2539	原边反馈，省431和光耦，节省成本；
ZH5202	<80mW	<6W	Y	PFM	SOP-8	CR5202		"内置功率三极管
内置次级电压采样控制器
可调式线损补偿"
ZH5203	<80mW	<11W	Y	PFM	DIP-7	CR5203		
ZH5201	<80mW	11W	N	PFM	SOT23-6	CR5201	"OB2520
OB2540"	"外挂三极管
驱动三极管开关管
内置次级电压采样控制器
可调式线损补偿"